Numer produktu producenta:
PMV32UP/MIR
Product Overview
Producent:
Nexperia USA Inc.
Numer części:
PMV32UP/MIR-DG
Opis:
MOSFET P-CH 20V 4A TO236AB
Szczegółowy opis:
P-Channel 20 V 4A (Ta) 510mW (Ta), 4.15W (Tc) Surface Mount TO-236AB
Magazyn:
12832979
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
PMV32UP/MIR Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Nexperia
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
4A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
1.8V, 4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
36mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
950mV @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
15.5 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1890 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
510mW (Ta), 4.15W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-236AB
Pakiet / Walizka
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
934068502215
Pakiet Standard
1
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
SI2399DS-T1-GE3
PRODUCENT
Vishay Siliconix
ILOŚĆ DOSTĘPNA
7732
NUMER CZĘŚCI
SI2399DS-T1-GE3-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.13
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
PMV32UP,215
PRODUCENT
Nexperia USA Inc.
ILOŚĆ DOSTĘPNA
10527
NUMER CZĘŚCI
PMV32UP,215-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.15
Rodzaj zastąpienia
Direct
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
ATP104-TL-HX
MOSFET P-CH 30V 75A ATPAK
PMN42XPE,115
MOSFET P-CH 20V 4A 6TSOP
PMN35EN,125
MOSFET N-CH 30V 5.1A 6TSOP
