Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
DR Konga
Argentyna
Turcja
Rumunia
Litwa
Norwegia
Austria
Angola
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Białoruś
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Czarnogóra
Rosyjski
Belgia
Szwecja
Serbia
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Mołdawia
Niemcy
Holandia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
Francja
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Portugalia
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Hiszpania
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
PEMD2,315
Product Overview
Producent:
Nexperia USA Inc.
Numer części:
PEMD2,315-DG
Opis:
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666
Szczegółowy opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
Magazyn:
Zapytanie ofertowe Online
12829815
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
PEMD2,315 Specyfikacje techniczne
Kategoria
Bipolarny (BJT), Układy tranzystorów bipolarnych, wstępnie zbuforowanych
Producent
Nexperia
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Not For New Designs
Typ tranzystora
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
100mA
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
50V
Rezystor - podstawa (R1)
22kOhms
Rezystor - podstawa emitera (R2)
22kOhms
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
60 @ 5mA, 5V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
150mV @ 500µA, 10mA
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
1µA
Częstotliwość - Przejście
-
Moc - Max
300mW
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
SOT-563, SOT-666
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-666
Podstawowy numer produktu
PEMD2
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
PEMD2,315
Karta danych HTML
PEMD2,315-DG
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
5202-PEMD2,315TR
934056860315
Pakiet Standard
8,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
NSBC124EDXV6T1G
PRODUCENT
onsemi
ILOŚĆ DOSTĘPNA
3573
NUMER CZĘŚCI
NSBC124EDXV6T1G-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.05
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
EMH1T2R
PRODUCENT
Rohm Semiconductor
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
EMH1T2R-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.08
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
RN4983FE,LF(CT
PRODUCENT
Toshiba Semiconductor and Storage
ILOŚĆ DOSTĘPNA
3850
NUMER CZĘŚCI
RN4983FE,LF(CT-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.02
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
NSBC124EPDXV6T1G
PRODUCENT
onsemi
ILOŚĆ DOSTĘPNA
3566
NUMER CZĘŚCI
NSBC124EPDXV6T1G-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.05
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
PEMB14,115
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT666
PUMB1/DG/B4X
TRANS PREBIAS 2PNP 50V 6TSSOP
PUMH16,115
TRANS PREBIAS 2NPN 50V 6TSSOP
PUMB4,115
TRANS PREBIAS 2PNP 50V 6TSSOP