Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
Francja
Hiszpania
Turcja
Mołdawia
Litwa
Norwegia
Niemcy
Portugalia
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Rosyjski
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Serbia
Białoruś
Holandia
Szwecja
Czarnogóra
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Rumunia
Austria
Belgia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
DR Konga
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Angola
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Argentyna
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
PEMB3,115
Product Overview
Producent:
Nexperia USA Inc.
Numer części:
PEMB3,115-DG
Opis:
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT666
Szczegółowy opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-666
Magazyn:
Zapytanie ofertowe Online
12829110
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
PEMB3,115 Specyfikacje techniczne
Kategoria
Bipolarny (BJT), Układy tranzystorów bipolarnych, wstępnie zbuforowanych
Producent
Nexperia
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Not For New Designs
Typ tranzystora
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
100mA
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
50V
Rezystor - podstawa (R1)
4.7kOhms
Rezystor - podstawa emitera (R2)
-
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
200 @ 1mA, 5V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
100mV @ 250µA, 5mA
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
1µA
Częstotliwość - Przejście
-
Moc - Max
300mW
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
SOT-563, SOT-666
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-666
Podstawowy numer produktu
PEMB3
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
PEMB3,115
Karta danych HTML
PEMB3,115-DG
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
PEMB3 T/R
5202-PEMB3,115TR
PEMB3 T/R-DG
934056867115
Pakiet Standard
4,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
NSBA143TDXV6T1G
PRODUCENT
onsemi
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
NSBA143TDXV6T1G-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.05
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
RN2910FE,LF(CT
PRODUCENT
Toshiba Semiconductor and Storage
ILOŚĆ DOSTĘPNA
4000
NUMER CZĘŚCI
RN2910FE,LF(CT-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.02
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
EMB3T2R
PRODUCENT
Rohm Semiconductor
ILOŚĆ DOSTĘPNA
14561
NUMER CZĘŚCI
EMB3T2R-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.05
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
PIMC31,115
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSOP
PQMD3Z
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V 6DFN
PUMH14,115
TRANS PREBIAS 2NPN 50V 6TSSOP
PEMD17,115
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT666