Numer produktu producenta:
GAN063-650WSAQ
Product Overview
Producent:
Nexperia USA Inc.
Numer części:
GAN063-650WSAQ-DG
Opis:
GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 650 V 34.5A (Ta) 143W (Ta) Through Hole TO-247-3
Magazyn:
582 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12830466
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
GAN063-650WSAQ Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Nexperia
Opakowanie
Tube
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
34.5A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
60mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1000 pF @ 400 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
143W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-247-3
Pakiet / Walizka
TO-247-3
Podstawowy numer produktu
GAN063
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
1727-8711-6INACTIVE
5202-GAN063-650WSAQTR
1727-8711-6-DG
1727-8711-1INACTIVE
1727-8711-2-DG
1727-8711-1-DG
1727-8711-1
1727-8711-2
2156-GAN063-650WSAQ
GAN063-650WSA
1727-8711-6
1727-GAN063-650WSAQ
934660022127
Pakiet Standard
30
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
PSMN6R0-30YLB,115
MOSFET N-CH 30V 71A LFPAK56
BUK7277-55A,118
MOSFET N-CH 55V 18A DPAK
PMZ350UPEYL
MOSFET P-CH 20V 1A DFN1006-3
