Numer produktu producenta:
BSP110,115
Product Overview
Producent:
Nexperia USA Inc.
Numer części:
BSP110,115-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 520MA SOT223
Szczegółowy opis:
N-Channel 100 V 520mA (Tc) 6.25W (Tc) Surface Mount SOT-223
Magazyn:
12830179
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
BSP110,115 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Nexperia
Opakowanie
-
Seria
TrenchMOS™
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
520mA (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
10Ohm @ 150mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
40 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
6.25W (Tc)
Temperatura
-65°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-223
Pakiet / Walizka
TO-261-4, TO-261AA
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
568-6812-2
568-6812-1
934000600115
BSP110 T/R
BSP110 T/R-DG
BSP110,115-DG
BSP110115
568-6812-6
Pakiet Standard
1,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
FDT1600N10ALZ
PRODUCENT
onsemi
ILOŚĆ DOSTĘPNA
6830
NUMER CZĘŚCI
FDT1600N10ALZ-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.23
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
PMN25ENEAX
MOSFET N-CH 30V 6.4A 6TSOP
PMN40ENEX
MOSFET N-CH 30V 5.7A 6TSOP
BUK9E08-55B,127
MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
