JAN2N7335
Numer produktu producenta:

JAN2N7335

Product Overview

Producent:

Microsemi Corporation

Numer części:

JAN2N7335-DG

Opis:

MOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036AB
Szczegółowy opis:
Mosfet Array 100V 750mA 1.4W Through Hole

Magazyn:

12930203
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

JAN2N7335 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, FET, układy MOSFET
Producent
Microsemi
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracja
4 P-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
750mA
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
-
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
-
Moc - Max
1.4W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Ocena
Military
Kwalifikacja
MIL-PRF-19500/599
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet / Walizka
14-DIP (0.300", 7.62mm)
Podstawowy numer produktu
2N733

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
JAN2N7335-MIL
150-JAN2N7335
JAN2N7335-DG
Pakiet Standard
1

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
RoHS non-compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
alpha-and-omega-semiconductor

AON2812

MOSFET 2N-CH 30V 4.5A 6DFN

rohm-semi

SP8K33TB1

MOSFET 2N-CH 60V 8SOP

rohm-semi

LP8M3FP8TB1

MOSFET N-CH SOP8G

onsemi

FDS6812A

MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8SOIC