Numer produktu producenta:
JAN2N7334
Product Overview
Producent:
Microsemi Corporation
Numer części:
JAN2N7334-DG
Opis:
MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
Szczegółowy opis:
Mosfet Array 100V 1A 1.4W Through Hole MO-036AB
Magazyn:
12929658
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
JAN2N7334 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, FET, układy MOSFET
Producent
Microsemi
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Active
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracja
4 N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
1A
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
700mOhm @ 600mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
60nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
-
Moc - Max
1.4W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Ocena
Military
Kwalifikacja
MIL-PRF-19500/597
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet / Walizka
14-DIP (0.300", 7.62mm)
Pakiet urządzeń dostawcy
MO-036AB
Podstawowy numer produktu
2N733
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
JAN2N7334-MIL
150-JAN2N7334
JAN2N7334-DG
Pakiet Standard
1
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
RoHS non-compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SP8M3FU7TB1
MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOP
NDS9957
MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
CAB425M12XM3
SIC 2N-CH 1200V 450A
