Numer produktu producenta:
APT5SM170B
Product Overview
Producent:
Microsemi Corporation
Numer części:
APT5SM170B-DG
Opis:
SICFET N-CH 1700V 5A TO247-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 1700 V 5A (Tc) 65W (Tc) Through Hole TO-247-3
Magazyn:
13263701
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
APT5SM170B Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Microsemi
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1700 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
5A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
20V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
1.25Ohm @ 2.5A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.2V @ 500µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
21 nC @ 20 V
Vgs (maks.)
+25V, -10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
249 pF @ 1000 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
65W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-247-3
Pakiet / Walizka
TO-247-3
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
APT5SM170B-ND
150-APT5SM170B
Pakiet Standard
1
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
APT60M75L2FLLG
MOSFET N-CH 600V 73A 264 MAX
APT28F60B
MOSFET N-CH 600V 30A TO247
APT6030BVRG
MOSFET N-CH 600V 21A TO247
