APT4065BNG
Numer produktu producenta:

APT4065BNG

Product Overview

Producent:

Microsemi Corporation

Numer części:

APT4065BNG-DG

Opis:

MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD
Szczegółowy opis:
N-Channel 400 V 11A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247AD

Magazyn:

13265000
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

APT4065BNG Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Microsemi
Opakowanie
-
Seria
POWER MOS IV®
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
400 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
11A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
650mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
950 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
180W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-247AD
Pakiet / Walizka
TO-247-3

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
APT4065BNG-ND
150-APT4065BNG
Pakiet Standard
30

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
microchip-technology

APT1001R6BFLLG

MOSFET N-CH 1000V 8A TO247

microsemi

APT47N65BC3G

MOSFET N-CH 650V 47A TO247

microchip-technology

APT1201R4SFLLG

MOSFET N-CH 1200V 9A D3PAK

microsemi

APT50M65B2LLG

MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX