Numer produktu producenta:
APT35SM70B
Product Overview
Producent:
Microsemi Corporation
Numer części:
APT35SM70B-DG
Opis:
SICFET N-CH 700V 35A TO247-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 700 V 35A (Tc) 176W (Tc) Through Hole TO-247-3
Magazyn:
13253326
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
APT35SM70B Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Microsemi
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
700 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
35A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
20V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
145mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
67 nC @ 20 V
Vgs (maks.)
+25V, -10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1035 pF @ 700 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
176W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-247-3
Pakiet / Walizka
TO-247-3
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
APT35SM70B-ND
150-APT35SM70B
Pakiet Standard
1
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
APT10M07JVR
MOSFET N-CH 100V 225A ISOTOP
APTML100U60R020T1AG
MOSFET N-CH 1000V 20A SP1
APT66M60B2
MOSFET N-CH 600V 70A T-MAX
