Numer produktu producenta:
VP2206N3-G-P003
Product Overview
Producent:
Microchip Technology
Numer części:
VP2206N3-G-P003-DG
Opis:
MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3
Szczegółowy opis:
P-Channel 60 V 640mA (Tj) 740mW (Tc) Through Hole TO-92-3
Magazyn:
292 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12811019
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
VP2206N3-G-P003 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Microchip Technology
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
640mA (Tj)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
900mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 10mA
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
450 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
740mW (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-92-3
Pakiet / Walizka
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Podstawowy numer produktu
VP2206
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
150-VP2206N3-G-P003DKRINACTIVE
150-VP2206N3-G-P003TR
150-VP2206N3-G-P003DKR-DG
VP2206N3-G-P003-DG
150-VP2206N3-G-P003CT
150-VP2206N3-G-P003DKR
Pakiet Standard
2,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IRF2807STRLPBF
MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
IRLZ44ZSTRRPBF
MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
VN2450N3-G
MOSFET N-CH 500V 200MA TO92-3
