Numer produktu producenta:
VN10KN3-G-P002
Product Overview
Producent:
Microchip Technology
Numer części:
VN10KN3-G-P002-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 310MA TO92-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 60 V 310mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3
Magazyn:
2970 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12864428
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
VN10KN3-G-P002 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Microchip Technology
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
310mA (Tj)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
60 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-92-3
Pakiet / Walizka
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Podstawowy numer produktu
VN10KN3
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
VN10KN3-G-P002CT
VN10KN3-G-P002DKR-DG
VN10KN3-G-P002DKRINACTIVE
150-VN10KN3-G-P002CT
150-VN10KN3-G-P002DKRINACTIVE
VN10KN3-G-P002CT-DG
VN10KN3-G-P002DKR
150-VN10KN3-G-P002DKR-DG
VN10KN3-G-P002TR
150-VN10KN3-G-P002DKR
VN10KN3-G-P002TR-DG
150-VN10KN3-G-P002TR
VN10KN3-G-P002-DG
Pakiet Standard
2,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
RJK03M4DPA-00#J5A
MOSFET N-CH 30V 35A 8WPAK
IRF540STRR
MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
IRFSL7534PBF
MOSFET N-CH 60V 195A TO262
