VN0106N3-G-P003
Numer produktu producenta:

VN0106N3-G-P003

Product Overview

Producent:

Microchip Technology

Numer części:

VN0106N3-G-P003-DG

Opis:

MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 60 V 350mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3

Magazyn:

12806066
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

VN0106N3-G-P003 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Microchip Technology
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
350mA (Tj)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
3Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 1mA
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
65 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-92-3
Pakiet / Walizka
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Podstawowy numer produktu
VN0106

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe
Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Pakiet Standard
2,000

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
infineon-technologies

IRF8252TRPBF

MOSFET N-CH 25V 25A 8SO

infineon-technologies

IRFU220N

MOSFET N-CH 200V 5A IPAK

infineon-technologies

IRL520NSPBF

MOSFET N-CH 100V 10A D2PAK

infineon-technologies

IPL60R125C7AUMA1

MOSFET N-CH 600V 17A 4VSON