Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
Francja
Hiszpania
Turcja
Mołdawia
Litwa
Norwegia
Niemcy
Portugalia
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Rosyjski
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Serbia
Białoruś
Holandia
Szwecja
Czarnogóra
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Rumunia
Austria
Belgia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
DR Konga
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Angola
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Argentyna
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
MSCSM170TLM11CAG
Product Overview
Producent:
Microchip Technology
Numer części:
MSCSM170TLM11CAG-DG
Opis:
SIC 4N-CH 1700V 238A SP6C
Szczegółowy opis:
Mosfet Array 1700V (1.7kV) 238A (Tc) 1114W (Tc) Chassis Mount SP6C
Magazyn:
5 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12974692
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
MSCSM170TLM11CAG Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, FET, układy MOSFET
Producent
Microchip Technology
Opakowanie
Bulk
Seria
-
Status produktu
Active
Technologia
Silicon Carbide (SiC)
Konfiguracja
4 N-Channel (Three Level Inverter)
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1700V (1.7kV)
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
238A (Tc)
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
11.3mOhm @ 120A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.2V @ 10mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
712nC @ 20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
13200pF @ 1000V
Moc - Max
1114W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Chassis Mount
Pakiet / Walizka
Module
Pakiet urządzeń dostawcy
SP6C
Podstawowy numer produktu
MSCSM170
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
150-MSCSM170TLM11CAG
Pakiet Standard
1
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
MSCSM170DUM11T3AG
SIC 2N-CH 1700V 240A SP3F
NTMFC013NP10M5L
MOSFET N/P-CH 100V 9A 8WDFN
MSCSM70TLM07CAG
SIC 4N-CH 700V 349A SP6C
MSCSM70TLM10C3AG
SIC 4N-CH 700V 241A MODULE