Numer produktu producenta:
MSCSM170HRM451AG
Product Overview
Producent:
Microchip Technology
Numer części:
MSCSM170HRM451AG-DG
Opis:
SIC 4N-CH 1700V/1200V 64A/89A
Szczegółowy opis:
Mosfet Array 1700V (1.7kV), 1200V (1.2kV) 64A (Tc), 89A (Tc) 319W (Tc), 395W (Tc) Chassis Mount
Magazyn:
12960578
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
MSCSM170HRM451AG Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, FET, układy MOSFET
Producent
Microchip Technology
Opakowanie
Bulk
Seria
-
Status produktu
Active
Technologia
Silicon Carbide (SiC)
Konfiguracja
4 N-Channel (Three Level Inverter)
Funkcja FET
Silicon Carbide (SiC)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1700V (1.7kV), 1200V (1.2kV)
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
64A (Tc), 89A (Tc)
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
45mOhm @ 30A, 20V, 31mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.2V @ 2.5mA, 2.8V @ 3mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
178nC @ 20V, 232nC @ 20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3300pF @ 1000V, 3020pF @ 1000V
Moc - Max
319W (Tc), 395W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Chassis Mount
Pakiet / Walizka
Module
Pakiet urządzeń dostawcy
-
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
150-MSCSM170HRM451AG
Pakiet Standard
1
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SI4973DY-T1-E3
MOSFET 2P-CH 30V 5.8A 8SOIC
MSCSM170HRM11NG
SIC 4N-CH 1700V/1200V 226A
MSCSM120HRM163AG
SIC 4N-CH 1200V/700V 173A