MSCSM120DUM31TBL1NG
Numer produktu producenta:

MSCSM120DUM31TBL1NG

Product Overview

Producent:

Microchip Technology

Numer części:

MSCSM120DUM31TBL1NG-DG

Opis:

SIC 2N-CH 1200V 79A
Szczegółowy opis:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 79A 310W Chassis Mount

Magazyn:

12988541
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

MSCSM120DUM31TBL1NG Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, FET, układy MOSFET
Producent
Microchip Technology
Opakowanie
Bulk
Seria
-
Status produktu
Active
Technologia
Silicon Carbide (SiC)
Konfiguracja
2 N-Channel (Dual) Common Source
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1200V (1.2kV)
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
79A
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
31mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 3mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
232nC @ 20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3020pF @ 1000V
Moc - Max
310W
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Chassis Mount
Pakiet / Walizka
Module
Pakiet urządzeń dostawcy
-
Podstawowy numer produktu
MSCSM120

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
150-MSCSM120DUM31TBL1NG
Pakiet Standard
1

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
toshiba-semiconductor-and-storage

SSM6L820R,LF

MOSFET N/P-CH 30V/20V 4A 6TSOPF

toshiba-semiconductor-and-storage

TPCP8407,LF

MOSFET N/P-CH 40V 5A/4A PS-8

microchip-technology

MSCSM120HM16TBL3NG

SIC 6N-CH 1200V 150A

microchip-technology

MSCSM70AM025D3AG

SIC 2N-CH 700V 689A