Numer produktu producenta:
MSC360SMA120B
Product Overview
Producent:
Microchip Technology
Numer części:
MSC360SMA120B-DG
Opis:
MOSFET SIC 1200 V 360 MOHM TO-24
Szczegółowy opis:
N-Channel 1200 V 11A (Tc) 78W (Tc) Through Hole TO-247-3
Magazyn:
138 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12970933
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
MSC360SMA120B Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Microchip Technology
Opakowanie
Tube
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1200 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
11A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
20V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
450mOhm @ 5A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.14V @ 500µA (Typ)
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
21 nC @ 20 V
Vgs (maks.)
+23V, -10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
255 pF @ 1000 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
78W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-247-3
Pakiet / Walizka
TO-247-3
Podstawowy numer produktu
MSC360
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
150-MSC360SMA120B
Pakiet Standard
30
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
PJQ5462A-AU_R2_000A1
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJE8428_R1_00001
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJD60R540E_L2_00001
600V N-CHANNEL SUPER JUNCTION MO
