Numer produktu producenta:
MSC025SMA120B4
Product Overview
Producent:
Microchip Technology
Numer części:
MSC025SMA120B4-DG
Opis:
TRANS SJT N-CH 1200V 103A TO247
Szczegółowy opis:
N-Channel 1200 V 103A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-247-4
Magazyn:
12939360
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
MSC025SMA120B4 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Microchip Technology
Opakowanie
Tube
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1200 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
103A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
20V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
31mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 3mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
232 nC @ 20 V
Vgs (maks.)
+23V, -10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3020 pF @ 1000 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
500W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-247-4
Pakiet / Walizka
TO-247-4
Podstawowy numer produktu
MSC025
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
150-MSC025SMA120B4
Pakiet Standard
30
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IRF730PBF-BE3
MOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
APT34F60S
MOSFET N-CH 600V 36A D3PAK
SQ3457EV-T1_BE3
MOSFET P-CHANNEL 30V 6.8A 6TSOP
