LND01K1-G
Numer produktu producenta:

LND01K1-G

Product Overview

Producent:

Microchip Technology

Numer części:

LND01K1-G-DG

Opis:

MOSFET N-CH 9V 330MA SOT23-5
Szczegółowy opis:
N-Channel 9 V 330mA (Tj) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23-5

Magazyn:

3471 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12794311
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

LND01K1-G Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Microchip Technology
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
9 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
330mA (Tj)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
0V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 100mA, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (maks.)
+0.6V, -12V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
46 pF @ 5 V
Funkcja FET
Depletion Mode
Rozpraszanie mocy (maks.)
360mW (Ta)
Temperatura
-25°C ~ 125°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-23-5
Pakiet / Walizka
SC-74A, SOT-753
Podstawowy numer produktu
LND01

Karta katalogowa i dokumenty

Montaż/pochodzenie PCN
Karty katalogowe
Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
LND01K1-GDKR
LND01K1-GTR
LND01K1-GCT
LND01K1-G-DG
Pakiet Standard
3,000

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
texas-instruments

CSD18511Q5AT

MOSFET N-CH 40V 159A 8VSON

texas-instruments

CSD18563Q5AT

MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON

central-semiconductor

CDM7-600LR TR13 PBFREE

MOSFET N-CH 600V 7A DPAK

texas-instruments

CSD19502Q5B

MOSFET N-CH 80V 100A 8VSON