DN3135N8-G
Numer produktu producenta:

DN3135N8-G

Product Overview

Producent:

Microchip Technology

Numer części:

DN3135N8-G-DG

Opis:

MOSFET N-CH 350V 135MA TO243AA
Szczegółowy opis:
N-Channel 350 V 135mA (Tj) 1.3W (Ta) Surface Mount TO-243AA (SOT-89)

Magazyn:

16992 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12815777
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

DN3135N8-G Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Microchip Technology
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
350 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
135mA (Tj)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
0V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
35Ohm @ 150mA, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
120 pF @ 25 V
Funkcja FET
Depletion Mode
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.3W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-243AA (SOT-89)
Pakiet / Walizka
TO-243AA
Podstawowy numer produktu
DN3135

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe
Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
DN3135N8-GDKR
DN3135N8-G-DG
DN3135N8-GTR
DN3135N8-GCT
Pakiet Standard
2,000

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
infineon-technologies

IPD60R950C6

MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252-3

texas-instruments

CSD16401Q5

MOSFET N-CH 25V 38A/100A 8VSON

infineon-technologies

IRFM460

MOSFET N-CH 500V 19A TO254AA

infineon-technologies

SPW47N65C3FKSA1

MOSFET N-CH 650V 47A TO247-3