Numer produktu producenta:
APTM120DA30CT1G
Product Overview
Producent:
Microchip Technology
Numer części:
APTM120DA30CT1G-DG
Opis:
MOSFET N-CH 1200V 31A SP1
Szczegółowy opis:
N-Channel 1200 V 31A (Tc) 657W (Tc) Chassis Mount SP1
Magazyn:
13265140
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
APTM120DA30CT1G Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Microchip Technology
Opakowanie
Bulk
Seria
POWER MOS 8™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1200 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
31A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
360mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
560 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
14560 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
657W (Tc)
Temperatura
-40°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Chassis Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
SP1
Pakiet / Walizka
SP1
Podstawowy numer produktu
APTM120
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
1
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
2N7228
MOSFET N-CH 500V 12A TO254AA
2N6768T1
MOSFET N-CH 400V 14A TO254AA
APT8014JLL
MOSFET N-CH 800V 42A ISOTOP
