Numer produktu producenta:
APT8M100B
Product Overview
Producent:
Microchip Technology
Numer części:
APT8M100B-DG
Opis:
MOSFET N-CH 1000V 8A TO247
Szczegółowy opis:
N-Channel 1000 V 8A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Magazyn:
37 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
13254280
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
APT8M100B Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Microchip Technology
Opakowanie
Tube
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1000 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
8A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
1.8Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1885 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
290W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-247 [B]
Pakiet / Walizka
TO-247-3
Podstawowy numer produktu
APT8M100
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
APT8M100BMI
APT8M100BMI-ND
Pakiet Standard
30
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
APTC60DAM18CTG
MOSFET N-CH 600V 143A SP4
APTM50UM09FAG
MOSFET N-CH 500V 497A SP6
APT8M80K
MOSFET N-CH 800V 8A TO220
