APT7F120S
Numer produktu producenta:

APT7F120S

Product Overview

Producent:

Microchip Technology

Numer części:

APT7F120S-DG

Opis:

MOSFET N-CH 1200V 7A D3PAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 1200 V 7A (Tc) 335W (Tc) Surface Mount D3PAK

Magazyn:

277 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12939292
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

APT7F120S Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Microchip Technology
Opakowanie
Tube
Seria
POWER MOS 8™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1200 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
7A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
2.4Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2565 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
335W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
D3Pak
Pakiet / Walizka
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Podstawowy numer produktu
APT7F120

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe
Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
150-APT7F120S
Pakiet Standard
30

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
vishay-siliconix

IRFR9014TRPBF-BE3

MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK

onsemi

NTMFS5C404NT1G

MOSFET N-CH 40V 53A/378A 5DFN

microchip-technology

MSC750SMA170B4

TRANS SJT 1700V TO247-4

vishay-siliconix

SQ3426AEEV-T1_BE3

MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP