Numer produktu producenta:
APT53F80J
Product Overview
Producent:
Microchip Technology
Numer części:
APT53F80J-DG
Opis:
MOSFET N-CH 800V 57A ISOTOP
Szczegółowy opis:
N-Channel 800 V 57A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Magazyn:
89 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
13258084
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
APT53F80J Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Microchip Technology
Opakowanie
Tube
Seria
POWER MOS 8™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
800 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
57A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
110mOhm @ 43A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 5mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
570 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
17550 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
960W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Chassis Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
ISOTOP®
Pakiet / Walizka
SOT-227-4, miniBLOC
Podstawowy numer produktu
APT53F80
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
10
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
APT24M120B2
MOSFET N-CH 1200V 24A T-MAX
APT60N60SCSG
MOSFET N-CH 600V 60A D3PAK
APT20M120JCU3
MOSFET N-CH 1200V 20A SOT227
