Numer produktu producenta:
APT48M80B2
Product Overview
Producent:
Microchip Technology
Numer części:
APT48M80B2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 800V 49A T-MAX
Szczegółowy opis:
N-Channel 800 V 49A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Magazyn:
13261777
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
APT48M80B2 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Microchip Technology
Opakowanie
Tube
Seria
POWER MOS 8™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
800 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
49A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
190mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
305 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
9330 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1135W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
T-MAX™ [B2]
Pakiet / Walizka
TO-247-3 Variant
Podstawowy numer produktu
APT48M80
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
30
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
APT47N65SCS3G
MOSFET N-CH 650V 47A TO-247
APTM100UM60FAG
MOSFET N-CH 1000V 129A SP6
APT5014SLLG/TR
MOSFET N-CH 500V 35A TO247
