Numer produktu producenta:
APT11N80BC3G
Product Overview
Producent:
Microchip Technology
Numer części:
APT11N80BC3G-DG
Opis:
MOSFET N-CH 800V 11A TO247
Szczegółowy opis:
N-Channel 800 V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Magazyn:
90 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
13261199
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
APT11N80BC3G Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Microchip Technology
Opakowanie
Tube
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
800 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
11A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
450mOhm @ 7.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 680µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1585 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
156W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-247 [B]
Pakiet / Walizka
TO-247-3
Podstawowy numer produktu
APT11N80
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
APT11N80BC3GMI
APT11N80BC3GMI-ND
Pakiet Standard
30
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
APT41F100J
MOSFET N-CH 1000V 42A ISOTOP
APT32M80J
MOSFET N-CH 800V 33A ISOTOP
APTM100DAM90G
MOSFET N-CH 1000V 78A SP6
