2N5630
Numer produktu producenta:

2N5630

Product Overview

Producent:

Microchip Technology

Numer części:

2N5630-DG

Opis:

POWER BJT
Szczegółowy opis:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 120 V 16 A 200 W Through Hole TO-204AD (TO-3)

Magazyn:

12983835
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

2N5630 Specyfikacje techniczne

Kategoria
Bipolarny (BJT), Pojedyncze tranzystory bipolarnie
Producent
Microchip Technology
Opakowanie
Bulk
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora
PNP
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
16 A
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
120 V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
-
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
-
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
-
Moc - Max
200 W
Częstotliwość - Przejście
-
Temperatura
-65°C ~ 200°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet / Walizka
TO-204AA, TO-3
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-204AD (TO-3)

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
150-2N5630
Pakiet Standard
1

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095

Alternatywne modele

NUMER CZĘŚCI
MJ15001G
PRODUCENT
onsemi
ILOŚĆ DOSTĘPNA
79
NUMER CZĘŚCI
MJ15001G-DG
CENA JEDNOSTKOWA
3.91
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
2N3773G
PRODUCENT
onsemi
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
2N3773G-DG
CENA JEDNOSTKOWA
3.52
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
microchip-technology

JANSD2N5154

RH POWER BJT

microchip-technology

2N5970

POWER BJT

microchip-technology

2N2780

POWER BJT

microchip-technology

JANSM2N5152

RH POWER BJT