Numer produktu producenta:
2N1711S
Product Overview
Producent:
Microchip Technology
Numer części:
2N1711S-DG
Opis:
NPN TRANSISTOR
Szczegółowy opis:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 500 mA 800 mW Through Hole TO-39
Magazyn:
13246632
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
2N1711S Specyfikacje techniczne
Kategoria
Bipolarny (BJT), Pojedyncze tranzystory bipolarnie
Producent
Microchip Technology
Opakowanie
Bulk
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora
NPN
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
500 mA
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
30 V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
1.5V @ 15mA, 150mA
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
10nA (ICBO)
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Moc - Max
800 mW
Częstotliwość - Przejście
-
Temperatura
-65°C ~ 200°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet / Walizka
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-39
Podstawowy numer produktu
2N1711
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
1
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
RoHS non-compliant
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
JAN2N6676T1
TRANS NPN 300V 15A TO254
JANTXV2N5682
TRANS NPN 120V 1A TO39
JANTX2N3440U4
TRANS NPN 250V 2UA U4
