Numer produktu producenta:
MMIX1T660N04T4
Product Overview
Producent:
IXYS
Numer części:
MMIX1T660N04T4-DG
Opis:
MOSFET N-CH 40V 660A 24SMPD
Szczegółowy opis:
N-Channel 40 V 660A (Tc) 830W (Tc) Surface Mount 24-SMPD
Magazyn:
13271058
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
MMIX1T660N04T4 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Littelfuse
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
40 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
660A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
0.85mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
860 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±15V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
44000 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
830W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
24-SMPD
Pakiet / Walizka
24-PowerSMD, 21 Leads
Podstawowy numer produktu
MMIX1T660
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
238-MMIX1T660N04T4
Pakiet Standard
20
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IXTA08N120P-TRL
MOSFET N-CH 1200V 800MA TO263
IXTP12N70X2M
MOSFET N-CH 700V 12A TO220
IXTH30N25L2
MOSFET N-CH 250V 30A TO247