Numer produktu producenta:
IXTY1R6N50D2
Product Overview
Producent:
IXYS
Numer części:
IXTY1R6N50D2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252
Szczegółowy opis:
N-Channel 500 V 1.6A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Magazyn:
12820941
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IXTY1R6N50D2 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Littelfuse
Opakowanie
Tube
Seria
Depletion
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
500 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
1.6A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
-
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
2.3Ohm @ 800mA, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
23.7 nC @ 5 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
645 pF @ 25 V
Funkcja FET
Depletion Mode
Rozpraszanie mocy (maks.)
100W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-252AA
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Podstawowy numer produktu
IXTY1
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
238-IXTY1R6N50D2-CRL
Q16282632
Pakiet Standard
70
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IXTP230N075T2
MOSFET N-CH 75V 230A TO220AB
IXFK100N65X2
MOSFET N-CH 650V 100A TO264
IXKH20N60C5
MOSFET N-CH 600V 20A TO247AD
