Numer produktu producenta:
IXTP3N110
Product Overview
Producent:
IXYS
Numer części:
IXTP3N110-DG
Opis:
MOSFET N-CH 1100V 3A TO220AB
Szczegółowy opis:
N-Channel 1100 V 3A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220-3
Magazyn:
12820720
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IXTP3N110 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Littelfuse
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
3A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
4Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1350 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
150W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220-3
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
IXTP3
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
IRFBG30PBF
PRODUCENT
Vishay Siliconix
ILOŚĆ DOSTĘPNA
4495
NUMER CZĘŚCI
IRFBG30PBF-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.02
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
STP3NK90Z
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
361
NUMER CZĘŚCI
STP3NK90Z-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.77
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
IXTP2R4N120P
PRODUCENT
IXYS
ILOŚĆ DOSTĘPNA
14
NUMER CZĘŚCI
IXTP2R4N120P-DG
CENA JEDNOSTKOWA
3.25
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IXTA230N075T2-7
MOSFET N-CH 75V 230A TO263-7
IXTA3N120HV
MOSFET N-CH 1200V 3A TO263
IXTA230N04T4
MOSFET N-CH 40V 230A TO263AA
