IXTP24N65X2M
Numer produktu producenta:

IXTP24N65X2M

Product Overview

Producent:

IXYS

Numer części:

IXTP24N65X2M-DG

Opis:

MOSFET N-CH 650V 24A TO220
Szczegółowy opis:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 37W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab

Magazyn:

295 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12909962
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

IXTP24N65X2M Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Littelfuse
Opakowanie
Tube
Seria
Ultra X2
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
24A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
145mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2060 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
37W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220 Isolated Tab
Pakiet / Walizka
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Podstawowy numer produktu
IXTP24

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe
Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
-IXTP24N65X2M
Pakiet Standard
50

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
onsemi

2N7002LT3

MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3

vishay-siliconix

2N7002K-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 300MA TO236

vishay-siliconix

IRFIB6N60APBF

MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220-3

vishay-siliconix

IRLZ44STRR

MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK