Numer produktu producenta:
IXTH62N65X2
Product Overview
Producent:
IXYS
Numer części:
IXTH62N65X2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 62A TO247
Szczegółowy opis:
N-Channel 650 V 62A (Tc) 780W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Magazyn:
10 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12820907
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IXTH62N65X2 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Littelfuse
Opakowanie
Tube
Seria
Ultra X2
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
62A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
52mOhm @ 31A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
104 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
5940 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
780W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-247 (IXTH)
Pakiet / Walizka
TO-247-3
Podstawowy numer produktu
IXTH62
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
30
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
IPW60R060P7XKSA1
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
60
NUMER CZĘŚCI
IPW60R060P7XKSA1-DG
CENA JEDNOSTKOWA
3.01
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IXTY02N120P
MOSFET N-CH 1200V 200MA TO252
IXTN200N10T
MOSFET N-CH 100V 200A SOT227B
IXFH16N80P
MOSFET N-CH 800V 16A TO247AD
