Numer produktu producenta:
IXTH60N10
Product Overview
Producent:
IXYS
Numer części:
IXTH60N10-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 60A TO247
Szczegółowy opis:
N-Channel 100 V 60A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Magazyn:
12821655
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IXTH60N10 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Littelfuse
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
60A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
20mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3200 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
300W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-247 (IXTH)
Pakiet / Walizka
TO-247-3
Podstawowy numer produktu
IXTH60
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
30
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IXTT140N10P
MOSFET N-CH 100V 140A TO268
IXTC13N50
MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220
IXTY2N100P
MOSFET N-CH 1000V 2A TO252
