Numer produktu producenta:
IXTH4N150
Product Overview
Producent:
IXYS
Numer części:
IXTH4N150-DG
Opis:
MOSFET N-CH 1500V 4A TO247
Szczegółowy opis:
N-Channel 1500 V 4A (Tc) 280W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Magazyn:
12821396
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IXTH4N150 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Littelfuse
Opakowanie
Tube
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1500 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
4A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
6Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
44.5 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1576 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
280W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-247 (IXTH)
Pakiet / Walizka
TO-247-3
Podstawowy numer produktu
IXTH4
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
30
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IXFH26N50P3
MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD
IXTP110N055T2
MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB
IXTH3N120
MOSFET N-CH 1200V 3A TO247
