Numer produktu producenta:
IXTH10N100D
Product Overview
Producent:
IXYS
Numer części:
IXTH10N100D-DG
Opis:
MOSFET N-CH 1000V 10A TO247
Szczegółowy opis:
N-Channel 1000 V 10A (Tc) 400W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)
Magazyn:
12819547
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IXTH10N100D Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Littelfuse
Opakowanie
Tube
Seria
Depletion
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1000 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
10A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2500 pF @ 25 V
Funkcja FET
Depletion Mode
Rozpraszanie mocy (maks.)
400W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-247 (IXTH)
Pakiet / Walizka
TO-247-3
Podstawowy numer produktu
IXTH10
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
30
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IXFX360N15T2
MOSFET N-CH 150V 360A PLUS247-3
IXFH42N20
MOSFET N-CH 200V 42A TO247AD
IXTV30N60P
MOSFET N-CH 600V 30A PLUS220
