Numer produktu producenta:
IXTF1N250
Product Overview
Producent:
IXYS
Numer części:
IXTF1N250-DG
Opis:
MOSFET N-CH 2500V 1A ISOPLUS I4
Szczegółowy opis:
N-Channel 2500 V 1A (Tc) 110W Through Hole ISOPLUS i4-PAC™
Magazyn:
12819673
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IXTF1N250 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Littelfuse
Opakowanie
Tube
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
2500 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
1A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
40Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1660 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
110W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
ISOPLUS i4-PAC™
Pakiet / Walizka
i4-Pac™-5 (3 Leads)
Podstawowy numer produktu
IXTF1
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
Q7319967A
Pakiet Standard
25
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IXTH50N30
MOSFET N-CH 300V 50A TO247
IXTP01N100D
MOSFET N-CH 1000V 400MA TO220AB
IXTP2N100
MOSFET N-CH 1000V 2A TO220AB
