Numer produktu producenta:
IXTA2N100P
Product Overview
Producent:
IXYS
Numer części:
IXTA2N100P-DG
Opis:
MOSFET N-CH 1000V 2A TO263
Szczegółowy opis:
N-Channel 1000 V 2A (Tc) 86W (Tc) Surface Mount TO-263AA
Magazyn:
12821554
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IXTA2N100P Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Littelfuse
Opakowanie
Tube
Seria
Polar
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1000 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
2A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
7.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 100µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
24.3 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
655 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
86W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-263AA
Pakiet / Walizka
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Podstawowy numer produktu
IXTA2
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
STD3NK100Z
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
1359
NUMER CZĘŚCI
STD3NK100Z-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.95
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IXFH74N20P
MOSFET N-CH 200V 74A TO247AD
IXTQ250N075T
MOSFET N-CH 75V 250A TO3P
IXFT60N25Q
MOSFET N-CH 250V 60A TO268
