Numer produktu producenta:
IXTA1N200P3HV
Product Overview
Producent:
IXYS
Numer części:
IXTA1N200P3HV-DG
Opis:
MOSFET N-CH 2000V 1A TO263
Szczegółowy opis:
N-Channel 2000 V 1A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263AA
Magazyn:
1165 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12819748
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IXTA1N200P3HV Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Littelfuse
Opakowanie
Tube
Seria
Polar P3™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
2000 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
1A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
40Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
23.5 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
646 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-263AA
Pakiet / Walizka
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Podstawowy numer produktu
IXTA1
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IXTQ50N25T
MOSFET N-CH 250V 50A TO3P
IXTT500N04T2
MOSFET N-CH 40V 500A TO268
IXFH12N90P
MOSFET N-CH 900V 12A TO247AD
