Numer produktu producenta:
IXTA1N100
Product Overview
Producent:
IXYS
Numer części:
IXTA1N100-DG
Opis:
MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO263
Szczegółowy opis:
N-Channel 1000 V 1.5A (Tc) 54W (Tc) Surface Mount TO-263AA
Magazyn:
12819906
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IXTA1N100 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Littelfuse
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1000 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
1.5A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
11Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 25µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
400 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
54W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-263AA
Pakiet / Walizka
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Podstawowy numer produktu
IXTA1
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
IXTA1R4N100P
PRODUCENT
IXYS
ILOŚĆ DOSTĘPNA
20
NUMER CZĘŚCI
IXTA1R4N100P-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.38
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IXFL70N60Q2
MOSFET N-CH 600V 37A ISOPLUS264
IXTA15N50L2
MOSFET N-CH 500V 15A TO263
IXTP120N075T2
MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
