Numer produktu producenta:
IXFY4N85X
Product Overview
Producent:
IXYS
Numer części:
IXFY4N85X-DG
Opis:
MOSFET N-CH 850V 3.5A TO252
Szczegółowy opis:
N-Channel 850 V 3.5A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Magazyn:
58 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12818833
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IXFY4N85X Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Littelfuse
Opakowanie
Tube
Seria
HiPerFET™, Ultra X
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
850 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
3.5A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
2.5Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
247 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
150W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-252AA
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Podstawowy numer produktu
IXFY4
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
-1402-IXFY4N85X
238-IXFY4N85X
IXFY4N85X-DG
Pakiet Standard
70
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IXFK44N50Q
MOSFET N-CH 500V 44A TO264AA
IXTA1N170DHV
MOSFET N-CH 1700V 1A TO263
IXFT80N30P3
MOSFET N-CH 300V 80A TO-268