IXFX90N20Q
Numer produktu producenta:

IXFX90N20Q

Product Overview

Producent:

IXYS

Numer części:

IXFX90N20Q-DG

Opis:

MOSFET N-CH 200V 90A PLUS247-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 200 V 90A (Tc) 500W (Tc) Through Hole PLUS247™-3

Magazyn:

12915210
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
jACv
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

IXFX90N20Q Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Littelfuse
Opakowanie
-
Seria
HiPerFET™, Q Class
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
200 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
90A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
22mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
190 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
6800 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
500W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
PLUS247™-3
Pakiet / Walizka
TO-247-3 Variant
Podstawowy numer produktu
IXFX90

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe
Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
IXFX90N20Q-NDR
Pakiet Standard
30

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095

Alternatywne modele

NUMER CZĘŚCI
IRFP90N20DPBF
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
574
NUMER CZĘŚCI
IRFP90N20DPBF-DG
CENA JEDNOSTKOWA
3.02
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
vishay-siliconix

SI4831BDY-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 6.6A 8SO

vishay-siliconix

IRFR9120TRL

MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK

vishay-siliconix

IRFD9210

MOSFET P-CH 200V 400MA 4DIP

vishay-siliconix

SI7447ADP-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8