Numer produktu producenta:
IXFX20N120
Product Overview
Producent:
IXYS
Numer części:
IXFX20N120-DG
Opis:
MOSFET N-CH 1200V 20A PLUS247-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 1200 V 20A (Tc) 780W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Magazyn:
12821477
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IXFX20N120 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Littelfuse
Opakowanie
-
Seria
HiPerFET™
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1200 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
20A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
750mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 8mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
7400 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
780W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
PLUS247™-3
Pakiet / Walizka
TO-247-3 Variant
Podstawowy numer produktu
IXFX20
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
30
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IXTP64N055T
MOSFET N-CH 55V 64A TO220AB
IXFK170N10
MOSFET N-CH 100V 170A TO-264AA
IXTY1R6N50P
MOSFET N-CH 500V 1.6A TO252
