Numer produktu producenta:
IXFT30N60P
Product Overview
Producent:
IXYS
Numer części:
IXFT30N60P-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 30A TO268
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 30A (Tc) 500W (Tc) Surface Mount TO-268AA
Magazyn:
12820400
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IXFT30N60P Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Littelfuse
Opakowanie
-
Seria
HiPerFET™, Polar
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
30A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
240mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4000 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
500W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-268AA
Pakiet / Walizka
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Podstawowy numer produktu
IXFT30
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
30
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
IXFT36N60P
PRODUCENT
IXYS
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
IXFT36N60P-DG
CENA JEDNOSTKOWA
8.30
Rodzaj zastąpienia
MFR Recommended
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IXTA80N075L2
MOSFET N-CH 75V 80A TO263AA
IXTA38N15T
MOSFET N-CH 150V 38A TO263
IXTP02N120P
MOSFET N-CH 1200V 200MA TO220AB
