Numer produktu producenta:
IXFT20N80Q
Product Overview
Producent:
IXYS
Numer części:
IXFT20N80Q-DG
Opis:
MOSFET N-CH 800V 20A TO268
Szczegółowy opis:
N-Channel 800 V 20A (Tc) 360W (Tc) Surface Mount TO-268AA
Magazyn:
12819506
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IXFT20N80Q Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Littelfuse
Opakowanie
-
Seria
HiPerFET™
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
800 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
20A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
420mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
5100 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
360W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-268AA
Pakiet / Walizka
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Podstawowy numer produktu
IXFT20
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
30
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IXFA7N80P
MOSFET N-CH 800V 7A TO263
IXTA05N100HV
MOSFET N-CH 1000V 750MA TO263
IXTX40P50P
MOSFET P-CH 500V 40A PLUS247-3
