Numer produktu producenta:
IXFT180N20X3HV
Product Overview
Producent:
IXYS
Numer części:
IXFT180N20X3HV-DG
Opis:
MOSFET N-CH 200V 180A TO268HV
Szczegółowy opis:
N-Channel 200 V 180A (Tc) 780W (Tc) Surface Mount TO-268HV (IXFT)
Magazyn:
30 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12819075
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IXFT180N20X3HV Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Littelfuse
Opakowanie
Tube
Seria
HiPerFET™, Ultra X3
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
200 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
180A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
154 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
10300 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
780W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-268HV (IXFT)
Pakiet / Walizka
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Podstawowy numer produktu
IXFT180
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
30
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IXFN32N120P
MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
IXFN140N30P
MOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B
IXFR30N60P
MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS247
