IXFT150N30X3HV
Numer produktu producenta:

IXFT150N30X3HV

Product Overview

Producent:

IXYS

Numer części:

IXFT150N30X3HV-DG

Opis:

MOSFET N-CH 300V 150A TO268HV
Szczegółowy opis:
N-Channel 300 V 150A (Tc) 890W (Tc) Surface Mount TO-268HV (IXFT)

Magazyn:

12905260
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

IXFT150N30X3HV Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Littelfuse
Opakowanie
Tube
Seria
HiPerFET™, Ultra X3
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
300 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
150A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
8.3mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
254 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
13100 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
890W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-268HV (IXFT)
Pakiet / Walizka
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Podstawowy numer produktu
IXFT150

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe
Karta danych HTML

Dodatkowe informacje

Pakiet Standard
30

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
diodes

ZXMN10A11K

MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-3

vishay-siliconix

IRFBC30

MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB

vishay-siliconix

IRF9520SPBF

MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK

vishay-siliconix

IRF820AL

MOSFET N-CH 500V 2.5A I2PAK