Numer produktu producenta:
IXFQ50N60X
Product Overview
Producent:
IXYS
Numer części:
IXFQ50N60X-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 50A TO3P
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 50A (Tc) 660W (Tc) Through Hole TO-3P
Magazyn:
12820568
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IXFQ50N60X Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Littelfuse
Opakowanie
Tube
Seria
HiPerFET™, Ultra X
Status produktu
Last Time Buy
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
50A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
73mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
116 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4660 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
660W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-3P
Pakiet / Walizka
TO-3P-3, SC-65-3
Podstawowy numer produktu
IXFQ50
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
30
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IXFX24N100Q3
MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247-3
IXFK120N30T
MOSFET N-CH 300V 120A TO264AA
IXTT74N20P
MOSFET N-CH 200V 74A TO268
