Numer produktu producenta:
IXFQ50N50P3
Product Overview
Producent:
IXYS
Numer części:
IXFQ50N50P3-DG
Opis:
MOSFET N-CH 500V 50A TO3P
Szczegółowy opis:
N-Channel 500 V 50A (Tc) 960W (Tc) Through Hole TO-3P
Magazyn:
292 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12821186
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IXFQ50N50P3 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Littelfuse
Opakowanie
Tube
Seria
HiPerFET™, Polar3™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
500 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
50A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
120mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
85 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4335 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
960W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-3P
Pakiet / Walizka
TO-3P-3, SC-65-3
Podstawowy numer produktu
IXFQ50
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
-IXFQ50N50P3
Pakiet Standard
30
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IXFT16N80P
MOSFET N-CH 800V 16A TO268
IXTT110N10P
MOSFET N-CH 100V 110A TO268
IXFN100N50Q3
MOSFET N-CH 500V 82A SOT227B
