Numer produktu producenta:
IXFP8N85X
Product Overview
Producent:
IXYS
Numer części:
IXFP8N85X-DG
Opis:
MOSFET N-CH 850V 8A TO220AB
Szczegółowy opis:
N-Channel 850 V 8A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB (IXFP)
Magazyn:
280 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12821277
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IXFP8N85X Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Littelfuse
Opakowanie
Tube
Seria
HiPerFET™, Ultra X
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
850 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
8A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
850mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
654 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
200W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220AB (IXFP)
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
IXFP8N85
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
-1402-IXFP8N85X
238-IXFP8N85X
IXFP8N85X-DG
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IXFR80N50Q3
MOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247
IXFP7N100P
MOSFET N-CH 1000V 7A TO220AB
IXTA60N10T
MOSFET N-CH 100V 60A TO263
